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IMT65R083M1H Datenblatt (PDF) - Infineon Technologies AG
IMT65R083M1H Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
Teilenummer IMT65R083M1H
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Hersteller  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Direct Link  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
Bauteilbeschribung MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device

IMT65R083M1H Datasheet (PDF)

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IMT65R083M1H Datasheet PDF - Infineon Technologies AG

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Hersteller  INFINEON [Infineon Technologies AG]
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Bauteilbeschribung MOSFET 650 V CoolSiCª M1 SiC Trench Power Device

IMT65R083M1H Datenblatt (HTML) - Infineon Technologies AG


IMT65R083M1H Produktdetails

Features
• Optimized switching behavior at higher currents
• Commutation robust fast body diode with low Qf
• Superior gate oxide reliability
• Tj,max=175°C and excellent thermal behavior
• Lower RDS(on) and pulse current dependency on temperature
• Increased avalanche capability
• Compatible with standard drivers (recommended driving voltage: 0V-18V)
• Kelvin source provides up to 4 times lower switching losses




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Über Infineon Technologies AG

Infineon Technologies ist ein führender globaler Halbleiterhersteller, der sich auf die Bereitstellung von Leistungsmanagement-, Sicherheits- und Kontrolllösungen für eine Vielzahl von Branchen wie Automobil-, Industrie- und Kommunikationssystemen spezialisiert hat.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Neubiberg.
Infineon bietet eine breite Palette von Produkten, darunter Mikrocontroller, Power -Halbleiter, Sensoren und andere integrierte Schaltungen.
Das Unternehmen ist auf dem globalen Markt stark vertreten, mit Betrieb und Einrichtungen in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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