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RAA230214GSBHA0 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

RAA230214GSBHA0 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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RAA230214GSBHA0 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung 5.5V Input, 3A, Step-Down DC/DC Converter LDO

RAA230214GSBHA0 Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


RAA230214GSBHA0 Produktdetails

Features
• DC/DC converter (ch1)
⎯ Synchronous rectification type step-down circuit
⎯ Integrated power MOSFETs
⎯ Preset output voltage (There are also products that have adjustable output voltage using external resistors.)
⎯ Internal phase compensator
⎯ Switching frequency: 1 MHz (fixed)
⎯ Internal timer-latch-type short-circuit protector (fixed delay time)
⎯ 100% duty cycle operation
• LDO (ch2)
⎯ 500mA
⎯ Internal over current protector (foldback-current limiting)
⎯ Ultra low-power save mode (25uA typical)
• Common Features
⎯ Internal rise up sequencer
⎯ Internal digital soft-start function (2 ms fixed soft-start time)
⎯ Internal discharge circuit
⎯ Power good function
⎯ Internal timer-latch-type thermal shutdown circuit (shutdown temperature: 150°C or higher)
⎯ Internal recovery-type under voltage lockout circuit




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Über Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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