2SC5435 Datenblatt(PDF)

Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile

2SC5435 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

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NPN SILICON SiGe RF TWIN TRANSISTOR

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2SC5435 Produktdetails

NPN SILICON + SiGe RF TRANSISTOR (WITH 2 DIFFERENT ELEMENTS)
IN A 6-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD (1007 PKG)

FEATURES
• 2 different built-in transistors (2SC5435, NESG2107M33)
Q1: High gain transistor
fT = 12.0 GHz TYP., S21e2 = 11 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
Q2: Built-in low phase noise SiGe transistor suited for OSC applications
fT = 10.0 GHz TYP., S21e2 = 9.0 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
• 6-pin super lead-less minimold package (1007 PKG)

Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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