FFSP2065B Datenblatt(PDF) - ON Semiconductor

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FFSP2065B Datenblatt (PDF) - ON Semiconductor

FFSP2065B Datasheet PDF - ON Semiconductor


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Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, TO-220-2L

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FFSP2065B Produktdetails

Features
• Max Junction Temperature 175°C
• Avalanche Rated 94 mJ
• High Surge Current Capacity
• Positive Temperature Coefficient
• Ease of Paralleling
• No Reverse Recovery / No Forward Recovery
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant

Applications
• General Purpose
• SMPS, Solar Inverter, UPS
• Power Switching Circuit

Ähnliche Teilenummer - FFSP2065B

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
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	NDSH20120C-F155	292Kb / 6P	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D3, TO-247-2L November, 2023 - Rev. 0
	NDSH30120C-F155	321Kb / 6P	Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 30 A, 1200 V, D3, TO-247-2L November, 2023 - Rev. 0
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Über ON Semiconductor

ON Semiconductor befindet sich ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleiterprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen entwirft, entwickelt und herstellt, darunter Automobil-, Computer-, Konsumgüter-, Industrie- und Kommunikationsmärkte.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona.
Über Semiconductor bietet unter anderem ein breites Portfolio an analogen und diskreten Halbleitern, einschließlich LeistungsmOSFETs, Dioden, Gleichrichter, Spannungsregulatoren.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, zuverlässig und kostengünstig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter tragbare Elektronik, industrielle Automatisierungssysteme, erneuerbare Energiesysteme und Automobilelektronik.
Semiconductor engagiert sich für Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, die besten Halbleiterlösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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