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2SJ649 Datenblatt (PDF) - NEC

2SJ649 Datasheet PDF - NEC
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2SJ649 Datenblatt (HTML) - NEC


2SJ649 Produktdetails

SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION
The 2SJ649 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for solenoid, motor and lamp driver.

FEATURES
• Low on-state resistance:
      RDS(on)1= 48 mΩMAX. (VGS= –10 V, ID= –10 A)
      RDS(on)2= 75 mΩMAX. (VGS= –4.0 V, ID= –10 A)
• Low input capacitance:
     Ciss= 1900 pF TYP. (VDS= –10 V, VGS= 0 V)
• Built-in gate protection diode




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Über NEC


Die NEC Corporation ist ein japanisches Unternehmen für multinationale Informationstechnologie und Elektronik. Das Unternehmen wurde 1899 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Tokio, Japan. NEC bietet eine breite Palette von Produkten und Dienstleistungen, einschließlich Informationstechnologie, Telekommunikation und Elektronik. Das Portfolio umfasst Computerhardware, Software und Dienste, Netzwerklösungen, Display -Lösungen sowie Unternehmenserver und Speicherlösungen.

NEC ist bekannt für sein Fachwissen im Bereich der Informationstechnologie und seine Fähigkeit, innovative und qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen bereitzustellen. Das Unternehmen verfügt über Operationen und Einrichtungen in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt und ist in der asiatisch-pazifischen Region stark vertreten. NEC arbeitet eng mit seinen Kunden zusammen, um maßgeschneiderte Lösungen bereitzustellen, die ihren spezifischen Anforderungen und Bedürfnissen entsprechen.

Zusätzlich zu seinem Kerngeschäft ist NEC auch in den Bereichen Forschung und Entwicklung aktiv und an verschiedenen Projekten in Bezug auf fortschrittliche Technologien wie künstliche Intelligenz, 5G -Netzwerke und das Internet der Dinge (IoT) beteiligt. NEC ist verpflichtet, nachhaltige Lösungen zu liefern, die die Entwicklung der Gesellschaft unterstützen und die Lebensqualität von Menschen auf der ganzen Welt verbessern.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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