MRF18030BLR3 Datenblatt(PDF) - Freescale Semiconductor, Inc

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MRF18030BLR3 Datenblatt (PDF) - Freescale Semiconductor, Inc

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RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF18030BLR3 Produktdetails

RF Power Field Effect Transistors
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1930-1990 MHz.

• Typical GSM Performance:
Power Gain - 14 dB (Typ) @ 30 Watts
Efficiency - 50% (Typ) @ 30 Watts
• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 30 Watts CW Output Power

Features
• Internally Matched for Ease of Use
• High Gain, High Efficiency and High Linearity
• Integrated ESD Protection
• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
• Excellent Thermal Stability
• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm,13 inch Reel.

Ähnliche Teilenummer - MRF18030BLR3

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Motorola, Inc	MRF18030BR3	275Kb / 8P	THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS
Motorola, Inc	MRF18030BSR3	275Kb / 8P	THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS

Ähnliche Beschreibung - MRF18030BLR3

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Freescale Semiconductor...	MRF1550NT1	288Kb / 13P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF6S23140HR3	434Kb / 12P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF6S19140HR3	404Kb / 11P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF6V2300NR1	522Kb / 14P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF6S18100NR1	701Kb / 20P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF1535NT1	662Kb / 19P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF5S19150HR3	439Kb / 12P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF9045LR1	397Kb / 11P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF8S9100HR3	300Kb / 14P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF6V4300NBR5	822Kb / 15P	RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

Über Freescale Semiconductor, Inc

Freescale Semiconductor war eine amerikanische Halbleiterfirma, die 1948 gegründet wurde.
Das Unternehmen war ein führender Anbieter von Mikrocontrollern, Sensoren und anderen Halbleiterprodukten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.
Die Produkte von Freescale waren für ihre hohe Leistung, ihren geringen Stromverbrauch und ihren kleinen Formfaktor bekannt.
Das Unternehmen wurde 2015 von den NXP -Semikoneitern übernommen, und seine Produkte und Technologien werden weiterhin unter der Marke NXP entwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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