MJD18002D2 Datenblatt(PDF) - ON Semiconductor

Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile

ALLDATASHEETDE.COM

X

MJD18002D2 Datenblatt (PDF) - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet PDF - ON Semiconductor


Teilenummer	MJD18002D2

Download	MJD18002D2 Download

Filegröße	129.06 Kbytes

Page	11 Pages

Hersteller	ONSEMI [ON Semiconductor]

Direct Link	http://www.onsemi.com

Logo

Bauteilbeschribung

POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor

MJD18002D2 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

Download Datenblatt

MJD18002D2 Datasheet PDF - ON Semiconductor


Teilenummer	MJD18002D2

Download	MJD18002D2 Click to download

Filegröße	129.06 Kbytes

Page	11 Pages

Hersteller	ONSEMI [ON Semiconductor]

Direct Link	http://www.onsemi.com

Logo

Bauteilbeschribung	POWER TRANSISTOR 2 AMPERES 1000 VOLTS, 50 WATTS Bipolar NPN Transistor

MJD18002D2 Datenblatt (HTML) - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 1Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 2Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 3Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 4Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 5Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 6Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 7Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 8Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 9Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Datasheet HTML 10Page - ON Semiconductor

MJD18002D2 Produktdetails

Bipolar NPN Transistor
High Speed, High Gain Bipolar NPN Power Transistor with Integrated Collector−Emitter Diode and Built−In Efficient Antisaturation Network

The MJD18002D2 is a state−of−the−art high speed, high gain bipolar transistor (H2BIP). Tight dynamic characteristics and lot to lot minimum spread (±150 ns on storage time) make it ideally suitable for light ballast applications. Therefore, there is no longer a need to guarantee an hFE window.

Features
• Low Base Drive Requirement
• High Peak DC Current Gain (55 Typical) @ IC = 100 mA
• Extremely Low Storage Time Min/Max Guarantees Due to the H2BIP Structure which Minimizes the Spread
• Integrated Collector−Emitter Free Wheeling Diode
• Fully Characterized and Guaranteed Dynamic VCEsat
• Characteristics Make It Suitable for PFC Application
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B > 8000 V
Machine Model, C > 400 V
• Six Sigma® Process Providing Tight and Reproductible Parameter Spreads
• Pb−Free Package is Available

Ähnliche Teilenummer - MJD18002D2

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Motorola, Inc	MJD112	306Kb / 6P	SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS
ON Semiconductor	MJD112	147Kb / 8P	Complementary Darlington Power Transistors August, 2004 ??Rev. 5
STMicroelectronics	MJD112	84Kb / 6P	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS Sep-1997
KEC(Korea Electronics)	MJD112	394Kb / 2P	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
Fairchild Semiconductor	MJD112	51Kb / 5P	D-PAK for Surface Mount Applications

Ähnliche Beschreibung - MJD18002D2

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Motorola, Inc	BUH50	478Kb / 10P	POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 800 VOLTS 50 WATTS
	BUH51	387Kb / 10P	POWER TRANSISTOR 3 AMPERES 800 VOLTS 50 WATTS
	BUT34	287Kb / 8P	50 AMPERES NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR 850 VOLTS 250 WATTS
	BUV20	142Kb / 4P	50 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 125 VOLTS 250 WATTS
	BUX85	115Kb / 4P	2 AMPERES POWER TRANSISTOR NPN SILICON 450 VOLTS 50 WATTS
	MJE18002	254Kb / 10P	POWER TRANSISTOR 2.0 AMPERES 1000 VOLTS 25 and 50 WATTS
	MJE18002D2	152Kb / 4P	POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 1000 VOLTS 50 WATTS
ON Semiconductor	BUH50	478Kb / 10P	POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 800 VOLTS 50 WATTS
ON Semiconductor	BUH51	387Kb / 10P	POWER TRANSISTOR 3 AMPERES 800 VOLTS 50 WATTS 1995
Micro Commercial Compon...	MJE13007	573Kb / 3P	NPN Power Transistor 8.0 Amperes 400 Volts 2 Watts

Über ON Semiconductor

ON Semiconductor befindet sich ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleiterprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen entwirft, entwickelt und herstellt, darunter Automobil-, Computer-, Konsumgüter-, Industrie- und Kommunikationsmärkte.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona.
Über Semiconductor bietet unter anderem ein breites Portfolio an analogen und diskreten Halbleitern, einschließlich LeistungsmOSFETs, Dioden, Gleichrichter, Spannungsregulatoren.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, zuverlässig und kostengünstig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter tragbare Elektronik, industrielle Automatisierungssysteme, erneuerbare Energiesysteme und Automobilelektronik.
Semiconductor engagiert sich für Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, die besten Halbleiterlösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

Link URL

War ALLDATASHEET hilfreich? [ DONATE ]

Über Alldatasheet | Werbung | Kontakt | Privatsphäre und Datenschutz | Link zum Datenblatt | Linktausch | Hersteller
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com