MJD210 Datenblatt(PDF) - Unisonic Technologies

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MJD210 Datenblatt (PDF) - Unisonic Technologies

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MJD210 Produktdetails

■ DESCRIPTION
The UTC MJD210 is designed for low voltage, low-power, high-gain audio amplifier applications.

■ FEATURE
* Collector-Emitter Sustaining Voltage
   VCEO(SUS) =-25V (Min) @ IC =-10mA
* High DC Current Gain
   hFE =70 (Min) @ IC=-500mA
      =45 (Min) @ IC=-2A
      =10 (Min) @ IC=-5A
* Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
* Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“-1” Suffix)
* Lead Formed Version in 16mm Tape and Reel (“T4” Suffix)
* Low Collector – Emitter Saturation Voltage
   VCE(SAT) = -0.3V (Max) @ IC =-500mA
   = -0.75V (Max) @ IC = -2.0 A
* High Current-Gain-Bandwidth Product
   fT = 65 MHz (Min) @ IC = -100 mA
* Annular Construction for Low Leakage
   ICBO = -100 nA @ Rated VCB

Ähnliche Teilenummer - MJD210

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Motorola, Inc	MJD210	236Kb / 6P	SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS
ON Semiconductor	MJD210	236Kb / 6P	Complementary Plastic Power Transistors 1995 REV 1
Fairchild Semiconductor	MJD210	46Kb / 5P	D-PAK for Surface Mount Applications
ON Semiconductor	MJD210	87Kb / 6P	Complementary Plastic Power Transistors August, 2006 ??Rev. 8
ON Semiconductor	MJD210	138Kb / 6P	Complementary Plastic Power Transistors January, 2011 ??Rev. 10

Ähnliche Beschreibung - MJD210

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Samsung semiconductor	MJD127	194Kb / 3P	PNP (D-PACK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS)
ON Semiconductor	NJD2873T4	50Kb / 6P	NPN Silicon DPAK For Surface Mount Applications August, 2004 ??Rev. 3
	MJD243	98Kb / 8P	Complementary Silicon Plastic Power Transistor DPAK-3 for Surface Mount Applications March, 2007 ??Rev. 10
	MJD2955	78Kb / 6P	Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications January, 2006 ??Rev. 8
	MMBT6589T1	63Kb / 5P	High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Switching Transistor for Portable Applications January, 2006 ??Rev. 1
Unisonic Technologies	MJD210	209Kb / 5P	PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
ON Semiconductor	NJVNJD2873T4G	111Kb / 5P	NPN Silicon DPAK For Surface Mount Applications June, 2012 ??Rev. 14
ON Semiconductor	NJD1718	113Kb / 5P	PNP Silicon DPAK For Surface Mount Applications October, 2013 ??Rev. 4
Unisonic Technologies	MJD210	209Kb / 5P	PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
Micro Commercial Compon...	SK32AFL	521Kb / 4P	For Surface Mount Applications

Über Unisonic Technologies

Unisonic Technologies ist ein taiwanesisches Halbleiterunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Stromverwaltungen und analogen integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1980 gegründet und ist global präsent, mit Büros und Einrichtungen in Asien, Europa und Amerika.

Unisonic Technologies bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, einschließlich ICS -ICS, linearer Spannungsregulatoren und motorischer Steuerung. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter Unterhaltungselektronik, Automobil, Industrie und Telekommunikation. Unisonic Technologies ist bekannt für sein Fachwissen in der Energieverwaltungstechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten.

In den letzten Jahren hat Unisonic Technologies sein Produktportfolio und die Angebote um Lösungen für das Internet of Things (IoT) und intelligente Energienmärkte erweitert. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für die Halbleiterindustrie. Unisonic Technologies ist ein anerkannter Marktführer im Marktmanagement und im analogen ICS-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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