STGB30H60DFB Datenblatt(PDF)

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STGB30H60DFB Datenblatt (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

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STGB30H60DFB Produktdetails

DESCRIPTION
·Low Saturation Voltage:VCE(sat)=2.0V@IC=30A
·High Current Capability
·High Input Impedance
·Fast Switching
APPLICATIONS
·Synchronous Rectification in SMPS
·Automotive Chargers
·UPS,PFC
·High Voltage Auxiliaries

Ähnliche Beschreibung - STGB30H60DFB

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
STMicroelectronics	STGW40V60DF	1Mb / 17P	Trench gate field-stop IGBT, V series 08-Oct-2013
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ON Semiconductor	FGH75T65SHDTLN4	465Kb / 9P	IGBT - Field Stop, Trench IGBT - Field Stop, Trench November, 2019 ??Rev. P2
Inchange Semiconductor ...	APT75GT120JU3	570Kb / 4P	Trench gate Field-Stop IGBT 2023-9-12
	CM300DY-24A-ISGM2001	502Kb / 5P	Trench gate Field-Stop IGBT 2023-9-5
	FF300R12M	438Kb / 5P	Trench gate Field-Stop IGBT 2023-8-14
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Über Inchange Semiconductor Company Limited

Die Inchange Semiconductor Company Limited ist eine chinesische Halbleiterfirma, die 1997 gegründet wurde.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten, darunter diskrete und analoge Leistungsgeräte sowie Dioden für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

Inchange ist bekannt für seine Fokussierung auf Qualität und Zuverlässigkeit, und seine Produkte werden häufig für das Energiemanagement, die Beleuchtung und andere Anwendungen verwendet.

Das Unternehmen ist in mehreren Ländern tätig und ist einer der führenden Lieferanten von Stromgeräten und Dioden in der asiatisch-pazifischen Region.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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