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LTE42005S Datenblatt (PDF) - NXP Semiconductors

LTE42005S Datasheet PDF - NXP Semiconductors
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Bauteilbeschribung NPN microwave power transistor

LTE42005S Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung NPN microwave power transistor

LTE42005S Datenblatt (HTML) - NXP Semiconductors


LTE42005S Produktdetails

DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT440A metal ceramic flange package with the emitter connected to the flange.

FEATURES
• Diffused emitter ballasting resistors provide excellent current sharing and withstanding a high VSWR
• Gold metallization realizes very stable characteristics and excellent lifetime
• Input matching cell improves input impedance and allows an easier design of circuits

APPLICATION
• Common emitter class-A linear power amplifiers up to 4.2 GHz.




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Über NXP Semiconductors


NXP Semiconductors ist ein öffentlich gehandeltes multinationales Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleitern und integrierten Schaltungen für verschiedene Anwendungen entwirft und herstellt, einschließlich Automobil-, Industrie-, Kommunikations- und Verbrauchermärkte.
Das Unternehmen wurde 2006 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Eindhoven, Niederlande.
NXP bietet ein breites Produktportfolio an, darunter Mikrocontroller, Mikroprozessoren, sichere Authentifizierungs -ICs, ICs, ICs, RF- und Mikrowellenkomponenten sowie Sensorlösungen.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, sicher und zuverlässig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, einschließlich Automobilsysteme, industrielle Automatisierung und Steuerung, intelligente Häuser und Gebäude sowie angeschlossene Geräte.
NXP widmet sich der Innovation und der Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, den Kunden die besten Halbleiterlösungen zur Verfügung zu stellen, um ihre Bedürfnisse zu erfüllen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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