ISB3027 Datenblatt(PDF)

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ISB3027 Datenblatt (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

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ISB3027 Datasheet HTML 1Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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ISB3027 Produktdetails

DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= 800V(Min)
· Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat)= 3V(Max) @IC=11A
APPLICATIONS
· Designed for power amplifier,high speed switching and
regulated power supply applications.

Ähnliche Beschreibung - ISB3027

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Advanced Semiconductor	MRF342	145Kb / 1P	SILICON POWER NPN TRANSISTOR
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Über Inchange Semiconductor Company Limited

Die Inchange Semiconductor Company Limited ist eine chinesische Halbleiterfirma, die 1997 gegründet wurde.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten, darunter diskrete und analoge Leistungsgeräte sowie Dioden für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

Inchange ist bekannt für seine Fokussierung auf Qualität und Zuverlässigkeit, und seine Produkte werden häufig für das Energiemanagement, die Beleuchtung und andere Anwendungen verwendet.

Das Unternehmen ist in mehreren Ländern tätig und ist einer der führenden Lieferanten von Stromgeräten und Dioden in der asiatisch-pazifischen Region.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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