MJD13003 Datenblatt(PDF)

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MJD13003 Datenblatt (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

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MJD13003 Produktdetails

DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= 400V(Min)
· Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat):= 1.0V(Max) @IC= 1A
APPLICATIONS
· Designed for use in high-voltage, high-speed, power switching
in inductive circuit, they are particularly suited for
115 and 220V switchmode applications such as switching
regulators, inverters, DC-DC converter, Motor control,
Solenoid/Relay drivers and deflection circuits.

Ähnliche Beschreibung - MJD13003

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Advanced Semiconductor	MRF342	145Kb / 1P	SILICON POWER NPN TRANSISTOR
NEC	2SC2333	167Kb / 3P	NPN Silicon Power Transistor
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Continental Device Indi...	CFC4662	106Kb / 3P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
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Bourns Electronic Solut...	BUX84	125Kb / 6P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Microsemi Corporation	2N2880	45Kb / 2P	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
Microsemi Corporation	2N5002	58Kb / 2P	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
M/A-COM Technology Solu...	MRF10031	195Kb / 5P	Microwave Power Silicon NPN Transistor Microwave Power Silicon NPN Transistor
Kwang Myoung I.S. CO.,L...	TIP35CF	5Mb / 2P	Silicon NPN Power Transistor

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Über Inchange Semiconductor Company Limited

Die Inchange Semiconductor Company Limited ist eine chinesische Halbleiterfirma, die 1997 gegründet wurde.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten, darunter diskrete und analoge Leistungsgeräte sowie Dioden für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

Inchange ist bekannt für seine Fokussierung auf Qualität und Zuverlässigkeit, und seine Produkte werden häufig für das Energiemanagement, die Beleuchtung und andere Anwendungen verwendet.

Das Unternehmen ist in mehreren Ländern tätig und ist einer der führenden Lieferanten von Stromgeräten und Dioden in der asiatisch-pazifischen Region.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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