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ISC037N13NM6 Datenblatt (PDF) - Infineon Technologies AG
ISC037N13NM6 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
Teilenummer ISC037N13NM6
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Hersteller  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Direct Link  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
Bauteilbeschribung MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 135 V

ISC037N13NM6 Datasheet (PDF)

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ISC037N13NM6 Datasheet PDF - Infineon Technologies AG

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Hersteller  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Direct Link  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG
Bauteilbeschribung MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 135 V

ISC037N13NM6 Datenblatt (HTML) - Infineon Technologies AG


ISC037N13NM6 Produktdetails

Features
• N-channel, normal level
• Very low on-resistance RDS(on)
• Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
• Very low reverse recovery charge (Qrr)
• 100% avalanche tested
• 175°C operating temperature
• Optimized for motor drives and battery powered applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
• MSL 1 classified according to J-STD-020




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Über Infineon Technologies AG

Infineon Technologies ist ein führender globaler Halbleiterhersteller, der sich auf die Bereitstellung von Leistungsmanagement-, Sicherheits- und Kontrolllösungen für eine Vielzahl von Branchen wie Automobil-, Industrie- und Kommunikationssystemen spezialisiert hat.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Neubiberg.
Infineon bietet eine breite Palette von Produkten, darunter Mikrocontroller, Power -Halbleiter, Sensoren und andere integrierte Schaltungen.
Das Unternehmen ist auf dem globalen Markt stark vertreten, mit Betrieb und Einrichtungen in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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