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UT3N06-Q Datenblatt (PDF) - Unisonic Technologies

UT3N06-Q Datasheet PDF - Unisonic Technologies
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UT3N06-Q Datasheet (PDF)

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UT3N06-Q Datenblatt (HTML) - Unisonic Technologies


UT3N06-Q Produktdetails

 DESCRIPTION
The UTC UT3N06 is an N-channel power MOSFET providing
very low on-resistance. It has high efficiency and perfect
cost-effectiveness. It can be generally applied in the commercial
and industrial fields.

 FEATURES
* RDS(ON) ≤ 110 mΩ @ VGS=10V, ID=3.0A
RDS(ON) ≤ 150 mΩ @ VGS=4.5V, ID=2.0A
* Simple drive requirement




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Über Unisonic Technologies


Unisonic Technologies ist ein taiwanesisches Halbleiterunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Stromverwaltungen und analogen integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1980 gegründet und ist global präsent, mit Büros und Einrichtungen in Asien, Europa und Amerika.

Unisonic Technologies bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, einschließlich ICS -ICS, linearer Spannungsregulatoren und motorischer Steuerung. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter Unterhaltungselektronik, Automobil, Industrie und Telekommunikation. Unisonic Technologies ist bekannt für sein Fachwissen in der Energieverwaltungstechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten.

In den letzten Jahren hat Unisonic Technologies sein Produktportfolio und die Angebote um Lösungen für das Internet of Things (IoT) und intelligente Energienmärkte erweitert. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für die Halbleiterindustrie. Unisonic Technologies ist ein anerkannter Marktführer im Marktmanagement und im analogen ICS-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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