MXP1144P Datenblatt(PDF) - Microsemi Corporation

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MXP1144P Datenblatt (PDF) - Microsemi Corporation

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PHOTOVOLTAIC BY-PASS DIODE 50 VOLTS, 1.0 Amps

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MXP1144P Produktdetails

DESCRIPTION
Large area diode chip for medium current photovoltaic bypass applications, or for higher current hybrid applications. The device is rated for 1A for applications where the device will be exposed to substantial radiation flux (space). For other applications, it may be operated at higher currents. A version with attached leads is available.

KEY FEATURES
◾ Oxide passivated structure for very low leakage currents
◾ Epitaxial structure minimizes forward voltage drop
◾ Triangular shape to fit in corner near flat of photovoltaic cell
◾ Forward voltage decreases with radiation exposure
◾ Targeted for terrestrial applications with silicon photovoltaic cells
◾ Thin construction for fit with photovoltaic cells

APPLICATIONS/BENEFITS
◾ Increases efficiency of photovoltaic arrays
◾ Protects photovoltaic cells from reverse voltage

Ähnliche Teilenummer - MXP1144P

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Microsemi Corporation	MXP1144	176Kb / 4P	Photovoltaic By-Pass Diode 50 Volts, 1.0 Amps

Ähnliche Beschreibung - MXP1144P

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Solid States Devices, I...	SDA188A	148Kb / 2P	50 AMPS 50 - 1000 VOLTS RECTIFIER ASSEMBLY
	SDR1ASM	161Kb / 2P	1.0 AMPS 50 - 1000 VOLTS 50 - 70 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
	SDR1D	146Kb / 2P	1.0 AMPS 200 - 1200 VOLTS 50 - 80 nsec ULTRA FAST RECTIFIER
Microsemi Corporation	MXP1005	175Kb / 5P	Photovoltaic By-Pass Diode 120 Volts, 2.25 Amps
	MXP1125	199Kb / 4P	Photovoltaic By-Pass Diode 50 Volts, 1.0 Amps
	MXP1144	176Kb / 4P	Photovoltaic By-Pass Diode 50 Volts, 1.0 Amps
	MXP2001	198Kb / 4P	Photovoltaic By-Pass Diode 50 Volts, 1.0 Amps
Unisonic Technologies	1N80	163Kb / 6P	1.0 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET
First Silicon Co., Ltd	FTK1N60	222Kb / 7P	1.0 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET
First Silicon Co., Ltd	FTK1N60P	321Kb / 7P	1.0 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET

Über Microsemi Corporation

Die Microsemi Corporation war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleiter- und Systemlösungen spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1960 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Aliso Viejo, Kalifornien.
Microsemi bot eine breite Palette von Produkten, darunter analoge und gemischte integrierte Schaltkreise, feldprogrammierbare Gate-Arrays (FPGAs), Stromverwaltungs- und Steuerungsprodukte sowie andere Halbleiterlösungen.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Verteidigung und Sicherheit, Luft- und Raumfahrt und Luftfahrt, Industrie und Kommunikation verwendet.
Microsemi war bekannt für sein Fachwissen in der Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2018 wurde Microsemi von Microchip Technology, einem führenden Anbieter von Mikrocontroller-, Mischsignal-, Analog- und Sicherheitsprodukten, übernommen.
Die Marke Microsemi ist nicht mehr verwendet, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Microchip.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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