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SCT040H120G3-7 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
SCT040H120G3-7 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package

SCT040H120G3-7 Datasheet (PDF)

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SCT040H120G3-7 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


SCT040H120G3-7 Produktdetails

Features
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Very low RDS(on) over the entire temperature range
• High speed switching performances
• Source sensing pin for increased efficiency

Applications
• Switching mode power supply
• Power supply for renewable energy systems
• DC-DC converters

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device
features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low
capacitances and very high switching operations, which improve application
performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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