PHB191NQ06LT Datenblatt(PDF)

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PHB191NQ06LT Datenblatt (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

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Bauteilbeschribung	isc N-Channel MOSFET Transistor

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PHB191NQ06LT Produktdetails

FEATURES
·Drain Current -ID= 75A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage -VDSS= 55V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 3.7mΩ(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
·DC-to-DC Converter
·General Industrial Applications
·Power Motor Control

Über Inchange Semiconductor Company Limited

Die Inchange Semiconductor Company Limited ist eine chinesische Halbleiterfirma, die 1997 gegründet wurde.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten, darunter diskrete und analoge Leistungsgeräte sowie Dioden für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

Inchange ist bekannt für seine Fokussierung auf Qualität und Zuverlässigkeit, und seine Produkte werden häufig für das Energiemanagement, die Beleuchtung und andere Anwendungen verwendet.

Das Unternehmen ist in mehreren Ländern tätig und ist einer der führenden Lieferanten von Stromgeräten und Dioden in der asiatisch-pazifischen Region.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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