SBE812 Datenblatt(PDF) - Sanyo Semicon Device

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SBE812 Datenblatt (PDF) - Sanyo Semicon Device

SBE812 Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


Teilenummer	SBE812

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Hersteller	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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Bauteilbeschribung

Schottky Barrier Diode 60V, 1.0A Rectifier

SBE812 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung	Schottky Barrier Diode 60V, 1.0A Rectifier

SBE812 Datenblatt (HTML) - Sanyo Semicon Device

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SBE812 Produktdetails

60V, 1.0A Rectifier

Features
• Small switching noise.
• Low leakage current and high reliability due to highly reliable planar structure.
• Ultrasmall package allows applied sets to be made small and thin.

Applications
• High frequency rectification (switching regulators, converters, choppers).

Ähnliche Teilenummer - SBE812

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	SBE812	316Kb / 6P	Schottky Barrier Diode September, 2013
ON Semiconductor	SBE812-TL-E	316Kb / 6P	Schottky Barrier Diode September, 2013

Ähnliche Beschreibung - SBE812

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Mospec Semiconductor	SK12	228Kb / 3P	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(1.0A,20-60V)
	SR102	223Kb / 3P	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(1.0A,20-60V)
	SR12	223Kb / 3P	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(1.0A,20-60V)
Won-Top Electronics	SB120	50Kb / 3P	1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Sanyo Semicon Device	SB1003M3	32Kb / 3P	Schottky Barrier Diode 30V, 1.0A Rectifier
Sanyo Semicon Device	SBE807	56Kb / 3P	Schottky Barrier Diode 30V, 1.0A Rectifier
Gulf Semiconductor	SB120E	97Kb / 2P	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE: 20 TO 60V CURRENT: 1.0A
Gulf Semiconductor	SB120	96Kb / 2P	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE: 20 TO 60V CURRENT: 1.0A
Unisonic Technologies	MBR145	148Kb / 3P	1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Diodes Incorporated	SB120	87Kb / 3P	1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Rev erse

Über Sanyo Semicon Device

Die Sanyo Semiconductor Device Corporation oder Sanyo Semicon Device war eine Tochtergesellschaft von Sanyo Electric Co., Ltd., einem japanischen Elektronikunternehmen. Sanyo Semicon Device war ein Hersteller von Halbleitergeräten, einschließlich Dioden, Transistoren und anderen Komponenten für Unterhaltungselektronik-, Automobil- und Industrieanwendungen. Das Unternehmen wurde 1970 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Osaka, Japan.

Das Sanyo Semicon-Gerät war bekannt für seine hochwertigen Produkte und sein Engagement für die Erfüllung der Bedürfnisse seiner Kunden. Das Unternehmen konzentrierte sich stark auf Forschung und Entwicklung und war an der Entwicklung neuer Technologien und Produkte für die Halbleiterindustrie beteiligt. Die Produkte von Sanyo Semicon Device wurden in einer Vielzahl von Anwendungen häufig eingesetzt und haben das Wachstum der Elektronikindustrie unterstützt.

Im Jahr 2010 wurde Sanyo Electric von der Panasonic Corporation, einem führenden globalen Elektronikunternehmen, übernommen. Infolgedessen wurde Sanyo Semicon Device eine Tochtergesellschaft von Panasonic und wurde in sein Semiconductor -Geschäft integriert. Die Akquisition ermöglichte es Panasonic, sein Produktportfolio und seine Angebote auf dem Halbleitermarkt zu erweitern und seine Position in der Elektronikbranche weiter zu stärken.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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