SS2003M Datenblatt(PDF) - Sanyo Semicon Device

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SS2003M Datenblatt (PDF) - Sanyo Semicon Device

SS2003M Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


Teilenummer	SS2003M

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Hersteller	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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Bauteilbeschribung

Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier

SS2003M Datasheet (PDF)

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Hersteller	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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Bauteilbeschribung	Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier

SS2003M Datenblatt (HTML) - Sanyo Semicon Device

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SS2003M Produktdetails

Features
• Small Switching noise.
• Low forward voltage (IF=2A, VF max=0.40V).
• Ultrasmall package permitting applied sets to be small and slim.

Applications
• High frequency rectification (switching regulators, converters, choppers).

Ähnliche Teilenummer - SS2003M

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
ON Semiconductor	SS2003M	188Kb / 5P	Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A, Low VF, Single MCPH6 May, 2013
	SS2003M	188Kb / 5P	Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A, Low VF, Single MCPH6 May, 2013
	SS2003M-TL-E	188Kb / 5P	Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A, Low VF, Single MCPH6 May, 2013
	SS2003M-TL-W	188Kb / 5P	Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A, Low VF, Single MCPH6 May, 2013
	SS2003M-TL-W	188Kb / 5P	Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A, Low VF, Single MCPH6 May, 2013

Ähnliche Beschreibung - SS2003M

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Won-Top Electronics	SB220	49Kb / 3P	2.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Sanyo Semicon Device	SB2003M	32Kb / 3P	Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier
	SBE811	32Kb / 3P	Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier
	SBS818	63Kb / 4P	Low VF Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A Rectifier
ON Semiconductor	SS2003M-TL-W	188Kb / 5P	Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A, Low VF, Single MCPH6 May, 2013
ON Semiconductor	SS2003M-TL-E	188Kb / 5P	Schottky Barrier Diode 30V, 2.0A, Low VF, Single MCPH6 May, 2013
Diodes Incorporated	B240S1F	416Kb / 5P	2.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Rev erse
Zibo Seno Electronic En...	MS202	135Kb / 2P	2.0A SCHOTTKY BARRIER DIODE
Diodes Incorporated	B2100AF	513Kb / 5P	2.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER March 2015
Diodes Incorporated	B260S1F	417Kb / 5P	2.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER May 2017 Rev. 2 - 2

Über Sanyo Semicon Device

Die Sanyo Semiconductor Device Corporation oder Sanyo Semicon Device war eine Tochtergesellschaft von Sanyo Electric Co., Ltd., einem japanischen Elektronikunternehmen. Sanyo Semicon Device war ein Hersteller von Halbleitergeräten, einschließlich Dioden, Transistoren und anderen Komponenten für Unterhaltungselektronik-, Automobil- und Industrieanwendungen. Das Unternehmen wurde 1970 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Osaka, Japan.

Das Sanyo Semicon-Gerät war bekannt für seine hochwertigen Produkte und sein Engagement für die Erfüllung der Bedürfnisse seiner Kunden. Das Unternehmen konzentrierte sich stark auf Forschung und Entwicklung und war an der Entwicklung neuer Technologien und Produkte für die Halbleiterindustrie beteiligt. Die Produkte von Sanyo Semicon Device wurden in einer Vielzahl von Anwendungen häufig eingesetzt und haben das Wachstum der Elektronikindustrie unterstützt.

Im Jahr 2010 wurde Sanyo Electric von der Panasonic Corporation, einem führenden globalen Elektronikunternehmen, übernommen. Infolgedessen wurde Sanyo Semicon Device eine Tochtergesellschaft von Panasonic und wurde in sein Semiconductor -Geschäft integriert. Die Akquisition ermöglichte es Panasonic, sein Produktportfolio und seine Angebote auf dem Halbleitermarkt zu erweitern und seine Position in der Elektronikbranche weiter zu stärken.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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