Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile
  German  ▼
ALLDATASHEETDE.COM

X  

IRG4BC20FD-SPBF Datenblatt (PDF) - International Rectifier

IRG4BC20FD-SPBF Datasheet PDF - International Rectifier
Teilenummer IRG4BC20FD-SPBF
Download  IRG4BC20FD-SPBF Download
Filegröße   298.44 Kbytes
Page   12 Pages
Hersteller  IRF [International Rectifier]
Direct Link  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Bauteilbeschribung INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT

IRG4BC20FD-SPBF Datasheet (PDF)

Go To PDF Page Download Datenblatt
IRG4BC20FD-SPBF Datasheet PDF - International Rectifier

Teilenummer IRG4BC20FD-SPBF
Download  IRG4BC20FD-SPBF Click to download

Filegröße   298.44 Kbytes
Page   12 Pages
Hersteller  IRF [International Rectifier]
Direct Link  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Bauteilbeschribung INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack IGBT

IRG4BC20FD-SPBF Datenblatt (HTML) - International Rectifier


IRG4BC20FD-SPBF Produktdetails

Features
• Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
• Industry standard D2Pak package
• Lead-Free

Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available
• IGBTs optimized for specific application conditions
• HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs . Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs




Ähnliche Teilenummer - IRG4BC20FD-SPBF

HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
logo
International Rectifier
IRG4BC20FD-S IRF-IRG4BC20FD-S Datasheet
222Kb / 10P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
IRG4BC20FD-STRL IRF-IRG4BC20FD-STRL Datasheet
222Kb / 10P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
More results


Ähnliche Beschreibung - IRG4BC20FD-SPBF

HerstellerTeilenummerDatenblattBauteilbeschribung
logo
International Rectifier
IRG4BC10SDPBF IRF-IRG4BC10SDPBF Datasheet
267Kb / 10P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGBC30KD2 IRF-IRGBC30KD2 Datasheet
145Kb / 9P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast CoPack IGBT
IRGB4059DPBF IRF-IRGB4059DPBF Datasheet
286Kb / 10P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4064DPBF IRF-IRGB4064DPBF Datasheet
370Kb / 10P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGI4061DPBF IRF-IRGI4061DPBF Datasheet
288Kb / 10P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4IBC20KDPBF IRF-IRG4IBC20KDPBF Datasheet
278Kb / 10P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4BC10UDPBF IRF-IRG4BC10UDPBF Datasheet
323Kb / 11P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISROT WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT
IRG4BC30UDPBF IRF-IRG4BC30UDPBF Datasheet
279Kb / 11P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT
IRG4PC30FDPBF IRF-IRG4PC30FDPBF Datasheet
384Kb / 11P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Fast CoPack 1GBT
IRG4PSH71UDPBF IRF-IRG4PSH71UDPBF Datasheet
239Kb / 11P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
More results




Über International Rectifier


International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




Link URL



War ALLDATASHEET hilfreich?  [ DONATE ] 

Über Alldatasheet   |   Werbung   |   Kontakt   |   Privatsphäre und Datenschutz   |   Link zum Datenblatt    |   Linktausch   |   Hersteller
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com