IS0-1009RH/SAMPLE Datenblatt(PDF) - Renesas Technology Corp

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IS0-1009RH/SAMPLE Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

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IS0-1009RH/SAMPLE Produktdetails

Features
• Electrically screened to SMD #5962-00523
• QML qualified per MIL-PRF-38535 requirements
• EH version acceptance tested to 50krad(Si) (LDR)
• Radiation environment - IS-1009EH
- High dose rate (50-300rad(Si)/s). . . . . . . . . . . 300 krad(Si)
- Low dose rate (0.01rad(Si)/s) . . . . . . . . . . . . . . 50krad(Si)
• Radiation environment - IS-1009RH
- High dose rate (50-300rad(Si)/s). . . . . . . . . . . 300 krad(Si)
• Latch-up immune. . . . . . . . . . . . . . . . . . dielectrically isolated
• Reverse breakdown voltage (VZ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5V
• Change in VZ vs current (400μA to 10mA). . . . . . . . . . . .6mV
• Change in VZ vs temperature (-55°C to +125°C) . . . . .15mV
• Maximum reverse breakdown current . . . . . . . . . . . . . 20mA
• Device is tested with 10μF shunt capacitance connected
from V+ to V-, which provides optimum stability
• Interchangeable with 1009 and 136 industry types

Ähnliche Teilenummer - IS0-1009RH/SAMPLE

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Renesas Technology Corp	IS0-1715AEH-Q	338Kb / 12P	Radiation Hardened Complementary Switch FET Drivers Feb.4.21
	IS0-1715ARH-Q	338Kb / 12P	Radiation Hardened Complementary Switch FET Drivers Feb.4.21
	IS0-1715ARH/SAMPLE	338Kb / 12P	Radiation Hardened Complementary Switch FET Drivers Feb.4.21
Intersil Corporation	IS0-1825ASRH-Q	69Kb / 3P	Single Event and Total Dose Hardened, High-Speed, Dual Output PWMs September 25, 2008
Intersil Corporation	IS0-1825ASRH/SAMPLE	69Kb / 3P	Single Event and Total Dose Hardened, High-Speed, Dual Output PWMs September 25, 2008

Ähnliche Beschreibung - IS0-1009RH/SAMPLE

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Intersil Corporation	IS-1009RH	79Kb / 2P	Radiation Hardened 2.5V Reference September 13, 2005
Intersil Corporation	IS-1009RH	92Kb / 2P	Radiation Hardened 2.5V Reference January 27, 2006
Microsemi Corporation	2N3498	111Kb / 3P	RADIATION HARDENED
Intersil Corporation	ISL71090SEH25	388Kb / 10P	Radiation Hardened Ultra Low Noise, Precision Voltage Reference June 6, 2013
	ISL71090SEH12	408Kb / 10P	Radiation Hardened Ultra Low Noise, Precision Voltage Reference June 26, 2013
	IS2-1009EH-Q	128Kb / 3P	Radiation Hardened 2.5V Reference September 12, 2013
Xilinx, Inc	DS692	1Mb / 41P	Radiation-Hardened
Intersil Corporation	ISL71090SEH50	391Kb / 13P	Radiation Hardened Ultra Low Noise, Precision Voltage Reference March 15, 2016
Renesas Technology Corp	ISL71090SEH25	498Kb / 14P	2.5V Radiation Hardened Ultra Low Noise, Precision Voltage Reference Jan 20, 2022
Renesas Technology Corp	ISL71090SEH50	495Kb / 14P	Radiation Hardened Ultra Low Noise, Precision Voltage Reference May 14, 2021

Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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