ISL73096RHVF Datenblatt(PDF) - Renesas Technology Corp

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ISL73096RHVF Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

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Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays

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ISL73096RHVF Produktdetails

Features
• Electrically screened to SMD # 5962-07218
• QML qualified per MIL-PRF-38535 requirements
• Radiation tolerance
- High dose rate (50-300rad(Si)/s). . . . . . . . . . . 100krad(Si)
- Low dose rate (0.01rad(Si)/s) . . . . . . . . . . . . . 50krad(Si)*
- SEL immune . . . . . . . . . . Bonded wafer dielectric isolation
• NPN gain bandwidth product (FT) . . . . . . . . . . . . . .8GHz (typ)
• NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 (typ)
• NPN early voltage (VA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V (typ)
• PNP gain bandwidth product (FT). . . . . . . . . . . . . 5.5GHz (typ)
• PNP current gain (hFE). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 (typ)
• PNP early voltage (VA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V (typ)
• Noise figure (50) at 1GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5dB (typ)
• Collector-to-collector leakage . . . . . . . . . . . . . . . . . . <1pA (typ)
• Complete isolation between transistors
* Limit established by characterization.

Ähnliche Teilenummer - ISL73096RHVF

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Intersil Corporation	ISL73096RH	237Kb / 5P	Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays March 23, 2009
	ISL73096RH	197Kb / 4P	Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays November 12, 2009
	ISL73096RHF/PROTO	237Kb / 5P	Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays March 23, 2009
	ISL73096RHF/PROTO	197Kb / 4P	Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays November 12, 2009
	ISL73096RHX/SAMPLE	237Kb / 5P	Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays March 23, 2009

Ähnliche Beschreibung - ISL73096RHVF

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Intersil Corporation	CA3096	133Kb / 14P	NPN/PNP Transistor Arrays December 1997
	HFA3046	57Kb / 9P	Ultra High Frequency Transistor Arrays October 1998
	HS-6254RH	31Kb / 3P	Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN Transistor Array 1999 08
	CA3096	434Kb / 15P	NPN/PNP Transistor Arrays January 2004
	HFA3046	298Kb / 13P	Ultra High Frequency Transistor Arrays December 21, 2005
	ISL73096RH	237Kb / 5P	Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays March 23, 2009
	ISL73096RH	197Kb / 4P	Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays November 12, 2009
Microsemi Corporation	JAN2N3501UB	614Kb / 7P	RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
Renesas Technology Corp	HFA3046	699Kb / 14P	Ultra High Frequency Transistor Arrays
Renesas Technology Corp	HFA3046	790Kb / 16P	Ultra High Frequency Transistor Arrays Jan 24, 2019

Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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