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HS-4080AEH Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

HS-4080AEH Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Bauteilbeschribung Radiation Hardened Full Bridge N-Channel FET Driver

HS-4080AEH Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung Radiation Hardened Full Bridge N-Channel FET Driver

HS-4080AEH Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


HS-4080AEH Produktdetails

Features
• Electrically screened to SMD # 5962-99617
• QML qualified per MIL-PRF-38535 requirements
• TID Rad Hard Assurance (RHA) testing
- HDR (50 - 300 rad(Si)/s) . . . . . . . . . . . . . 300krad(Si) (max)
- HDR (0.01 rad(Si)/s) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50krad(Si)
• Latch-up immune RSG DI process
• Drives N-Channel FET full bridge including high-side chop
capability
• Bootstrap supply max voltage to 95VDC
• TTL comparator input levels
• Drives 1000pF load with rise and fall times of 50ns
• User-programmable dead time
• Charge-pump and bootstrap maintain upper bias supplies
• DIS (Disable) pin pulls gates low
• Operates from single supply. . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V to 15V
• Low power consumption
• Undervoltage protection




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Über Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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