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FDS4435BZ Datenblatt (PDF) - ON Semiconductor
FDS4435BZ Datasheet PDF - ON Semiconductor
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Bauteilbeschribung P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -8.8A, 20mΩ

FDS4435BZ Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung P-Channel PowerTrench MOSFET -30V, -8.8A, 20mΩ

FDS4435BZ Datenblatt (HTML) - ON Semiconductor


FDS4435BZ Produktdetails

Features
 Max rDS(on) = 20mΩ at VGS = -10V, ID = -8.8A
 Max rDS(on) = 35mΩ at VGS = -4.5V, ID = -6.7A
 Extended VGSS range (-25V) for battery applications
 HBM ESD protection level of ±3.8KV typical (note 3)
 High performance trench technology for extremely low rDS(on)
 High power and current handling capability
 Termination is Lead-free and RoHS compliant

General Description
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance.
This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.




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Über ON Semiconductor

ON Semiconductor befindet sich ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleiterprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen entwirft, entwickelt und herstellt, darunter Automobil-, Computer-, Konsumgüter-, Industrie- und Kommunikationsmärkte.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona.
Über Semiconductor bietet unter anderem ein breites Portfolio an analogen und diskreten Halbleitern, einschließlich LeistungsmOSFETs, Dioden, Gleichrichter, Spannungsregulatoren.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, zuverlässig und kostengünstig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter tragbare Elektronik, industrielle Automatisierungssysteme, erneuerbare Energiesysteme und Automobilelektronik.
Semiconductor engagiert sich für Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, die besten Halbleiterlösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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