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BGA2803,115 Datenblatt (PDF) - NXP Semiconductors

BGA2803,115 Datasheet PDF - NXP Semiconductors
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BGA2803,115 Datasheet (PDF)

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BGA2803,115 Datenblatt (HTML) - NXP Semiconductors


BGA2803,115 Produktdetails

1.1 General description
Silicon Monolithic Microwave Integrated Circuit (MMIC) wideband amplifier with internal matching circuit in a 6-pin SOT363 plastic SMD package.

1.2 Features and benefits
 Internally matched to 50 
 A gain of 23.6 dB at 950 MHz
 Output power at 1 dB gain compression = 6 dBm
 Supply current = 5.8 mA at a supply voltage of 3.0 V
 Reverse isolation > 40 dB up to 2 GHz
 Good linearity with low second order and third order products
 Noise figure = 3.6 dB at 950 MHz
 Unconditionally stable (K > 1)
 No output inductor required

1.3 Applications
 LNB IF amplifiers
 General purpose low noise wideband amplifier for frequencies between DC and 2.2 GHz




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Über NXP Semiconductors


NXP Semiconductors ist ein öffentlich gehandeltes multinationales Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleitern und integrierten Schaltungen für verschiedene Anwendungen entwirft und herstellt, einschließlich Automobil-, Industrie-, Kommunikations- und Verbrauchermärkte.

Das Unternehmen wurde 2006 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Eindhoven, Niederlande.

NXP bietet ein breites Produktportfolio an, darunter Mikrocontroller, Mikroprozessoren, sichere Authentifizierungs -ICs, ICs, ICs, RF- und Mikrowellenkomponenten sowie Sensorlösungen.

Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, sicher und zuverlässig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, einschließlich Automobilsysteme, industrielle Automatisierung und Steuerung, intelligente Häuser und Gebäude sowie angeschlossene Geräte.

NXP widmet sich der Innovation und der Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, den Kunden die besten Halbleiterlösungen zur Verfügung zu stellen, um ihre Bedürfnisse zu erfüllen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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