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AM80610-030 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
AM80610-030 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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AM80610-030 Datasheet (PDF)

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AM80610-030 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


AM80610-030 Produktdetails

DESCRIPTION
The AM80610-030 is a high power, common base NPN silicon bipolar device optimized for CW operation in the 620 - 960 MHz frequency range.
AM80610-030 utilizes a rugged, overlay, emitter ballasted L-Band die geometry to achieve high gain and collector efficiency and is suitable for driver or output stage use in Class C power amplifiers. Typical applications include military communications, ECM, and test equipment.
The AM80610-030 is provided in the industry standard, metal/ceramic AMPAC hermetic package.

■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
■ EMITTER SITE BALLASTED
■ INPUT/OUTPUT MATCHING
■ METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
■ POUT = 30 W MIN. WITH 8.5 dB GAIN




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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