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AM82731-025 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
AM82731-025 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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AM82731-025 Datasheet (PDF)

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AM82731-025 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


AM82731-025 Produktdetails

DESCRIPTION
The AM82731-025 device is a high power silicon bipolar NPNtransistor specifically designed forS-Band radar pulsed output and driver applications.

■ LOW PARASITIC, DOUBLE LEVEL METAL DESIGN
■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
■ EMITTER SITE BALLASTED
■ 3:1 VSWR @ 1 dB OVERDRIVE
■ LOW RF THERMAL RESISTANCE
■ INPUT/OUTPUT IMPEDANCE MATCHING
■ OVERLAY GEOMETRY
■ METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
■ POUT = 25 W MIN. WITH 6.2 dB GAIN




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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