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NIS5112D1R2G. Datenblatt (PDF) - ON Semiconductor
NIS5112D1R2G. Datasheet PDF - ON Semiconductor
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Bauteilbeschribung Electronic Fuse

NIS5112D1R2G. Datasheet (PDF)

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NIS5112D1R2G. Datenblatt (HTML) - ON Semiconductor


NIS5112D1R2G. Produktdetails

Features
• Integrated Power Device
• Power Device Thermally Protected
• No External Current Shunt Required
• Enable/Timer Pin
• Adjustable Slew Rate for Output Voltage
• 9 V to 18 V Input Range
• 30 m Typical
• Internal Charge Pump
• ESD Ratings: Human Body Model (HBM); 4000 V
• These are Pb−Free Devices
Typical Applications
• Hard Drives




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Über ON Semiconductor

ON Semiconductor befindet sich ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleiterprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen entwirft, entwickelt und herstellt, darunter Automobil-, Computer-, Konsumgüter-, Industrie- und Kommunikationsmärkte.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona.
Über Semiconductor bietet unter anderem ein breites Portfolio an analogen und diskreten Halbleitern, einschließlich LeistungsmOSFETs, Dioden, Gleichrichter, Spannungsregulatoren.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, zuverlässig und kostengünstig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter tragbare Elektronik, industrielle Automatisierungssysteme, erneuerbare Energiesysteme und Automobilelektronik.
Semiconductor engagiert sich für Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, die besten Halbleiterlösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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