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FDB031N08 Datenblatt (PDF) - ON Semiconductor

FDB031N08 Datasheet PDF - ON Semiconductor
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Bauteilbeschribung N-Channel PowerTrench® MOSFET 75 V, 235 A, 3.1 mΩ

FDB031N08 Datasheet (PDF)

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Hersteller  ONSEMI [ON Semiconductor]
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Bauteilbeschribung N-Channel PowerTrench® MOSFET 75 V, 235 A, 3.1 mΩ

FDB031N08 Datenblatt (HTML) - ON Semiconductor


FDB031N08 Produktdetails

Features
• RDS(on) = 2.4 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 75 A
• Fast Switching Speed
• Low Gate Charge
• High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)
• High Power and Current Handling Capability
• RoHS Compliant

Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.

Applications
• Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
• Battery Protection Circuit
• Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies




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Über ON Semiconductor


ON Semiconductor befindet sich ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleiterprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen entwirft, entwickelt und herstellt, darunter Automobil-, Computer-, Konsumgüter-, Industrie- und Kommunikationsmärkte.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona.
Über Semiconductor bietet unter anderem ein breites Portfolio an analogen und diskreten Halbleitern, einschließlich LeistungsmOSFETs, Dioden, Gleichrichter, Spannungsregulatoren.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, zuverlässig und kostengünstig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter tragbare Elektronik, industrielle Automatisierungssysteme, erneuerbare Energiesysteme und Automobilelektronik.
Semiconductor engagiert sich für Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, die besten Halbleiterlösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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