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IRF520 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
IRF520 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

IRF520 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

IRF520 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


IRF520 Produktdetails

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
   
■ TYPICAL RDS(on) = 0.23 Ω
■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
■ 100% AVALANCHE TESTED
■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C
■ LOW GATE CHARGE
■ HIGH CURRENT CAPABILITY
■ 175°C OPERATING TEMPERATURE
   
APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS
■ REGULATORS
■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS
■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
    ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)
   




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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