KP823C03 Datenblatt(PDF)

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KP823C03 Datenblatt (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

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KP823C03 Produktdetails

FEATURES
· Low Forward Voltage Drop
· Super High Speed Switching
· High Reliability by Planer Design
APPLICATIONS
· Switching Power Supply (SPS)
· High Frequency Converter
· DC/DC Converter

Ähnliche Beschreibung - KP823C03

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Micrel Semiconductor	MIC2290	98Kb / 12P	2mm 횞 2mm PWM Boost Regulator with Internal Schotty Diode
Nihon Inter Electronics...	FSH10A04	57Kb / 6P	Schotty Barrier Diode
Leshan Radio Company	LRB500V-40T1	54Kb / 3P	Surface Mount Schotty Diode
Leshan Radio Company	LRB501V-40T1	53Kb / 3P	Surface Mount Schotty Diode
Micrel Semiconductor	MIC2290	425Kb / 13P	2mm 횞 2mm PWM Boost Regulator with Internal Schotty Diode
Fairchild Semiconductor	MBR20200CT	100Kb / 4P	Dual High Voltage Schotty Rectifier
Daya Electric Group Co....	SS12	166Kb / 2P	1.0 AMP. Surface Mount Schotty Barrier Rectifiers
Micro Commercial Compon...	SK34AL-TPS02	196Kb / 3P	3 Amp Schotty Barrier Rectifier Low Vf Type 40 Volts
First Silicon Co., Ltd	FDR501U	172Kb / 3P	Surface Mount Schotty Diode
SHIKUES Electronics	LL103A	819Kb / 4P	Small Signal Schotty Diodes

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Über Inchange Semiconductor Company Limited

Die Inchange Semiconductor Company Limited ist eine chinesische Halbleiterfirma, die 1997 gegründet wurde.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten, darunter diskrete und analoge Leistungsgeräte sowie Dioden für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

Inchange ist bekannt für seine Fokussierung auf Qualität und Zuverlässigkeit, und seine Produkte werden häufig für das Energiemanagement, die Beleuchtung und andere Anwendungen verwendet.

Das Unternehmen ist in mehreren Ländern tätig und ist einer der führenden Lieferanten von Stromgeräten und Dioden in der asiatisch-pazifischen Region.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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