IXTH120P065T Datenblatt(PDF)

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IXTH120P065T Datenblatt (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

IXTH120P065T Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited


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Trench P-Channel MOSFET

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Bauteilbeschribung	Trench P-Channel MOSFET

IXTH120P065T Datenblatt (HTML) - Inchange Semiconductor Company Limited

IXTH120P065T Datasheet HTML 1Page - Inchange Semiconductor Company Limited

IXTH120P065T Datasheet HTML 2Page - Inchange Semiconductor Company Limited

IXTH120P065T Produktdetails

FEATURES
· Drain Current -ID= -120A@ TC=25℃
· Drain Source Voltage -VDSS= -65V(Min)
· Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 10mΩ(Max)@VGS= -10V
APPLICATIONS
· High-Side Switching
· Automatic Test Equipment
· Battery Charger Applications
· DC Choppers

Über Inchange Semiconductor Company Limited

Die Inchange Semiconductor Company Limited ist eine chinesische Halbleiterfirma, die 1997 gegründet wurde.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten, darunter diskrete und analoge Leistungsgeräte sowie Dioden für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

Inchange ist bekannt für seine Fokussierung auf Qualität und Zuverlässigkeit, und seine Produkte werden häufig für das Energiemanagement, die Beleuchtung und andere Anwendungen verwendet.

Das Unternehmen ist in mehreren Ländern tätig und ist einer der führenden Lieferanten von Stromgeräten und Dioden in der asiatisch-pazifischen Region.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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