DXTN78030DFGQ Datenblatt(PDF) - Diodes Incorporated

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DXTN78030DFGQ Datenblatt (PDF) - Diodes Incorporated

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Ultra-Low VCE(sat) NPN and PNP Bipolar Transistors Maximize Power Density and Efficiency in Compact Automotive Designs

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DXTN78030DFGQ Datenblatt (HTML) - Diodes Incorporated

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Ähnliche Teilenummer - DXTN78030DFGQ

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Diodes Incorporated	DXTN03060CFG	859Kb / 7P	60V NPN LOW VCESAT TRANSISTOR IN PowerDI3333-8 January 2021 Rev. 1 - 2
	DXTN03100CFG	845Kb / 7P	100V NPN LOW VCESAT TRANSISTOR IN PowerDI3333-8 January 2021 Rev. 1 - 2
	DXTN03100CFG-7	845Kb / 7P	100V NPN LOW VCESAT TRANSISTOR IN PowerDI3333-8 January 2021 Rev. 1 - 2
	DXTN07025BFG	802Kb / 7P	25V NPN HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN PowerDI3333-8 October 2018
	DXTN07025DBFG-7	802Kb / 7P	25V NPN HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN PowerDI3333-8 October 2018

Ähnliche Beschreibung - DXTN78030DFGQ

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Unisonic Technologies	UP2518	117Kb / 4P	LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTORS
ON Semiconductor	NSS40300MZ4	94Kb / 6P	Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor May, 2007 - Rev. 0
	NSS40301MZ4	89Kb / 6P	Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor August, 2007 - Rev. 0
	NSS40301MZ4	114Kb / 6P	Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor September, 2010 ??Rev. 1
Unisonic Technologies	UP2518	114Kb / 3P	LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTORS
ON Semiconductor	2SA2125	325Kb / 1P	Bipolar Transistor (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP November, 2013
	CPH3116	631Kb / 7P	Bipolar Transistor (-)50V, (-)1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH3 September, 2013
	MCH3145	436Kb / 8P	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single MCPH3 September, 2013
	NSS40300MZ4	98Kb / 6P	Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor September, 2013 ??Rev. 3
	NSV1C300CT	292Kb / 7P	Bipolar Power Transistors 100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor February, 2021 - Rev. 0

Über Diodes Incorporated

DioDes Incorporated ist ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von diskreten, analogen und gemischten Signal-Halbleitern und vollständigen Leistungslösungen entwirft, produziert und liefert.
Das Unternehmen wurde 1964 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Plano, Texas.
Es arbeitet weltweit mit Vertriebs-, Support- und Designzentren in Nordamerika, Europa und Asien.
DioDes Incorporated dient einer Vielzahl von Branchen, darunter Automobil, Kommunikation, Computer, Verbraucher und Industrie.
Das Unternehmen bietet unter anderem eine breite Palette von Produkten, darunter Dioden, Gleichrichter, Transistoren, Spannungsregulatoren, MOSFETs, LED -Treiber und Schutzgeräte.
Die Mission des Unternehmens ist es, den Kunden qualitativ hochwertige, qualitativ zuverlässige Produkte und hervorragende Kundenservice zu bieten.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit ist DioDes Incorporated verpflichtet, ein führender Anbieter von Power Management -Lösungen zu werden.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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