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TP65H070G4LSGEA Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp
TP65H070G4LSGEA Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Bauteilbeschribung 650V SuperGaN® GaN FET in PQFN 8x8 Performance Package (source tab)

TP65H070G4LSGEA Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung 650V SuperGaN® GaN FET in PQFN 8x8 Performance Package (source tab)

TP65H070G4LSGEA Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


TP65H070G4LSGEA Produktdetails

■ Gen IV technology
■ JEDEC-qualified GaN technology
■ Dynamic RDS(on)eff production tested
■ Robust design, defined by
● Transient over-voltage capability
● Operation with E-mode gate drivers without
need for Zener protection.
■ Negligible Qrr
■ Reduced crossover loss
■ RoHS compliant and Halogen-free packaging




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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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