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R08DS0200EJ0200 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp
R08DS0200EJ0200 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Bauteilbeschribung HIGH ISOLATION VOLTAGE DARLINGTON TRANSISTOR TYPE

R08DS0200EJ0200 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung HIGH ISOLATION VOLTAGE DARLINGTON TRANSISTOR TYPE

R08DS0200EJ0200 Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


R08DS0200EJ0200 Produktdetails

• High isolation voltage (BV = 5 000 Vr.m.s.)
• High current transfer ratio (CTR = 2 000 % TYP.)
• High-speed switching (tr, tf = 100 μs TYP.)
• Embossed tape product: PS2562L-1-F3 : 2 000 pcs/reel
: PS2562L2-1-F3 : 2 000 pcs/reel
• Pb-Free product
• Safety standards
• UL approved: UL 1577, Double protection
• CSA approved: CSA C22.2 No. 62368-1, Reinforced insulation
• BSI approved: BS EN INC 62368-1, Reinforced insulation
• SEMKO approved: EN INC 62368-1, Reinforced insulation
• NEMKO approved: EN INC 62368-1, Reinforced insulation
• FIMKO approved: EN INC 62368-1, Reinforced insulation
• DEMKO approved: EN INC 62368-1, Reinforced insulation
• VDE approved: DIN EN INC 60747-5-5 (Option)




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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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