BFG67 Datenblatt(PDF)

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BFG67 Datenblatt (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

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BFG67 Produktdetails

DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 10V(Min.)
· Low Noise, High Transition Frequency
APPLICATIONS
· Satellite TV Tuners
· Portable RF Communications Equipment

Ähnliche Beschreibung - BFG67

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	BFU610F	134Kb / 12P	NPN wideband silicon RF transistor Rev. 2-11 January 2011
	BFU660F	131Kb / 12P	NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1-11 January 2011
	BFU630F	340Kb / 12P	NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1-15 December 2010
	BFU530X	307Kb / 22P	NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1-5 March 2014
	BFU550A	300Kb / 22P	NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1-13 January 2014
	BFU550W	302Kb / 22P	NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1-13 January 2014
	BFU590G	283Kb / 19P	NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1-28 April 2014
	BFU590Q	260Kb / 19P	NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1-28 April 2014
	BFU520W	302Kb / 22P	NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1-13 January 2014
	BFU530XR	316Kb / 22P	NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 ??5 March 2014

More results

Über Inchange Semiconductor Company Limited

Die Inchange Semiconductor Company Limited ist eine chinesische Halbleiterfirma, die 1997 gegründet wurde.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten, darunter diskrete und analoge Leistungsgeräte sowie Dioden für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

Inchange ist bekannt für seine Fokussierung auf Qualität und Zuverlässigkeit, und seine Produkte werden häufig für das Energiemanagement, die Beleuchtung und andere Anwendungen verwendet.

Das Unternehmen ist in mehreren Ländern tätig und ist einer der führenden Lieferanten von Stromgeräten und Dioden in der asiatisch-pazifischen Region.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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