IRG4PC40S Datenblatt(PDF)

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IRG4PC40S Datenblatt (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

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IRG4PC40S Produktdetails

FEATURES
· Low Saturation Voltage:VCE(sat)= 1.5V@IC= 31A
· Optimized for Minimum Saturation Voltage
and Low Operating Frequencies (< 1kHz)
· Industry Standard TO-247 Package
· Lead-Free
APPLICATIONS
· AC Motor Control
· UPS

Ähnliche Beschreibung - IRG4PC40S

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	GA100TS60SQ	113Kb / 7P	HALF-BRIDGE IGBT INT-A-PAK Standard Speed IGBT
	GA600HD25S	637Kb / 10P	Standard Speed IGBT
	GA100TS60SF	112Kb / 7P	Standard Speed IGBT
	IRG4PC40SPBF	627Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
	IRG4BC40SPBF	582Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
	IRG4PC50S-P	151Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
	IRG4PC30SPBF	249Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
	IRG4BC30S-SPBF	212Kb / 10P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT
	GA200HS60S1	67Kb / 6P	HALF-BRIDGE IGBT INT-A-PAK Standard Speed IGBT
Vishay Siliconix	VS-GA100TS60SFPBF	153Kb / 7P	“Half-Bridge” IGBT INT-A-PAK, (Standard Speed IGBT), 100 A 10-Jun-15

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Über Inchange Semiconductor Company Limited

Die Inchange Semiconductor Company Limited ist eine chinesische Halbleiterfirma, die 1997 gegründet wurde.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten, darunter diskrete und analoge Leistungsgeräte sowie Dioden für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

Inchange ist bekannt für seine Fokussierung auf Qualität und Zuverlässigkeit, und seine Produkte werden häufig für das Energiemanagement, die Beleuchtung und andere Anwendungen verwendet.

Das Unternehmen ist in mehreren Ländern tätig und ist einer der führenden Lieferanten von Stromgeräten und Dioden in der asiatisch-pazifischen Region.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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