DMNH15H110SK3 Datenblatt(PDF) - Diodes Incorporated

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DMNH15H110SK3 Datenblatt (PDF) - Diodes Incorporated

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150V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMNH15H110SK3 Produktdetails

Description and Applications
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state
resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance,
making it ideal for high efficiency power management applications.
 Power Management
 Driving Solenoids
 Motor Control

Features and Benefits
 Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature
Environments
 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production
 Low On-Resistance
 Fast Switching Speed
 Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
 Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
 For automotive applications requiring specific change control
(i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP capable, and
manufactured in IATF 16949 certified facilities), please
contact us or your local Diodes representative.
https://www.diodes.com/quality/product-definitions/

Ähnliche Teilenummer - DMNH15H110SK3

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Diodes Incorporated	DMNH10H021SPSW	564Kb / 7P	100V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 January 2021 Rev. 2 - 2
	DMNH10H021SPSW-13	564Kb / 7P	100V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 January 2021 Rev. 2 - 2
	DMNH10H028SCT	401Kb / 7P	Low Input Capacitance Rev 2
Inchange Semiconductor ...	DMNH10H028SCT	305Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Diodes Incorporated	DMNH10H028SK3	564Kb / 7P	100V 175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev 3

Ähnliche Beschreibung - DMNH15H110SK3

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Diodes Incorporated	DMTH6016LFDFWQ	435Kb / 8P	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET January 2021
	DMTH45M5LPSW	592Kb / 8P	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev. 3 - 2 August 2022
	DMTH45M5LPSWQ	592Kb / 8P	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev. 3 - 2 August 2022
	DMTH45M5SPSW	587Kb / 8P	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev. 2 - 2 August 2022
	DMNH45M7SCT	475Kb / 6P	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET August 2018 Rev. 4 - 2
	DMTH43M8LFGQ	513Kb / 7P	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET April 2023 Rev. 7 - 2
	DMTH10H015SPSQ	919Kb / 9P	100V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET January 2023 Rev. 3 - 2
	DMTH31M7LPSQ	374Kb / 8P	175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET June 2020 Rev. 2 - 2
	DMTH8008LFGQ	467Kb / 7P	80V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET April 2020 Rev. 3 - 2
	DMTH8008SFGQ	467Kb / 7P	80V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET June 2020 Rev. 2 - 2

Über Diodes Incorporated

DioDes Incorporated ist ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von diskreten, analogen und gemischten Signal-Halbleitern und vollständigen Leistungslösungen entwirft, produziert und liefert.
Das Unternehmen wurde 1964 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Plano, Texas.
Es arbeitet weltweit mit Vertriebs-, Support- und Designzentren in Nordamerika, Europa und Asien.
DioDes Incorporated dient einer Vielzahl von Branchen, darunter Automobil, Kommunikation, Computer, Verbraucher und Industrie.
Das Unternehmen bietet unter anderem eine breite Palette von Produkten, darunter Dioden, Gleichrichter, Transistoren, Spannungsregulatoren, MOSFETs, LED -Treiber und Schutzgeräte.
Die Mission des Unternehmens ist es, den Kunden qualitativ hochwertige, qualitativ zuverlässige Produkte und hervorragende Kundenservice zu bieten.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit ist DioDes Incorporated verpflichtet, ein führender Anbieter von Power Management -Lösungen zu werden.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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