DMTH4014LPSWQ Datenblatt(PDF) - Diodes Incorporated

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DMTH4014LPSWQ Datenblatt (PDF) - Diodes Incorporated

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40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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Bauteilbeschribung	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMTH4014LPSWQ Produktdetails

Description and Applications
This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of
automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a
PPAP and is ideal for use in:
 High Frequency Switching
 Sync Rectification
 DC-DC Converters

Features
 Rated to +175°C – Ideal for High Ambient Temperature
Environments
 100% Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in Production —
Ensures More Reliable and Robust End Application
 High Conversion Efficiency
 Low RDS(ON) — Minimizes Power Losses
 Wettable Flank for Improved Optical Inspection
 Fast Switching Speed
 Low Input Capacitance
 Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
 Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
 The DMTH4014LPSWQ is suitable for automotive applications
requiring specific change control; this part is AEC-Q101
qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF 16949
certified facilities.
https://www.diodes.com/quality/product-definitions/

Ähnliche Teilenummer - DMTH4014LPSWQ

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Diodes Incorporated	DMTH4014LDVWQ	640Kb / 7P	40V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET January 2021 Rev. 2 - 2
	DMTH4014LDVWQ-13	640Kb / 7P	40V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET January 2021 Rev. 2 - 2
	DMTH4014LDVWQ-7	640Kb / 7P	40V 175°C DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET January 2021 Rev. 2 - 2
	DMTH4014LFVWQ	548Kb / 7P	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET November 2020 Rev. 3 - 2
	DMTH4014LFVWQ-13	548Kb / 7P	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET November 2020 Rev. 3 - 2

Ähnliche Beschreibung - DMTH4014LPSWQ

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Diodes Incorporated	DMTH45M5LPSW	592Kb / 8P	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev. 3 - 2 August 2022
	DMTH45M5LPSWQ	592Kb / 8P	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev. 3 - 2 August 2022
	DMTH45M5SPSW	587Kb / 8P	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Rev. 2 - 2 August 2022
	DMNH45M7SCT	475Kb / 6P	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET August 2018 Rev. 4 - 2
	DMTH43M8LFGQ	513Kb / 7P	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET April 2023 Rev. 7 - 2
	DMT47M2SFVWQ	479Kb / 7P	40V 150°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET April 2019 Rev. 2 - 2
	DMTH10H015SPSQ	919Kb / 9P	100V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET January 2023 Rev. 3 - 2
	DMTH31M7LPSQ	374Kb / 8P	175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET June 2020 Rev. 2 - 2
	DMTH45M5LFVWQ	719Kb / 8P	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET March 2023 Rev. 3 - 2
	DMTH46M7SFVWQ	678Kb / 7P	40V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET November 2022 Rev. 4 - 2

Über Diodes Incorporated

DioDes Incorporated ist ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von diskreten, analogen und gemischten Signal-Halbleitern und vollständigen Leistungslösungen entwirft, produziert und liefert.
Das Unternehmen wurde 1964 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Plano, Texas.
Es arbeitet weltweit mit Vertriebs-, Support- und Designzentren in Nordamerika, Europa und Asien.
DioDes Incorporated dient einer Vielzahl von Branchen, darunter Automobil, Kommunikation, Computer, Verbraucher und Industrie.
Das Unternehmen bietet unter anderem eine breite Palette von Produkten, darunter Dioden, Gleichrichter, Transistoren, Spannungsregulatoren, MOSFETs, LED -Treiber und Schutzgeräte.
Die Mission des Unternehmens ist es, den Kunden qualitativ hochwertige, qualitativ zuverlässige Produkte und hervorragende Kundenservice zu bieten.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit ist DioDes Incorporated verpflichtet, ein führender Anbieter von Power Management -Lösungen zu werden.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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