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US3M-13 Datenblatt (PDF) - Diodes Incorporated

US3M-13 Datasheet PDF - Diodes Incorporated
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Bauteilbeschribung 3.0A SURFACE MOUNT ULTRA-FAST RECTIFIER

US3M-13 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung 3.0A SURFACE MOUNT ULTRA-FAST RECTIFIER

US3M-13 Datenblatt (HTML) - Diodes Incorporated


US3M-13 Produktdetails

Description
3.0A Surface Mount Glass Passivated Rectifier in SMC package
offers high current capability and ultra-fast recovery time for high
efficiency. Designed with glass passivated die construction for high
reliability, this device is ideal for applications such as:
 Power Supplies
 Lighting Ballasts

Features and Benefits
 Glass Passivated Die Construction
 High Current Capability
 Ultra-Fast Recovery Time for High Efficiency
 Maximum Operating Junction Temperature of +175°C
 Lead Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
 Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)




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Über Diodes Incorporated


DioDes Incorporated ist ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von diskreten, analogen und gemischten Signal-Halbleitern und vollständigen Leistungslösungen entwirft, produziert und liefert.
Das Unternehmen wurde 1964 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Plano, Texas.
Es arbeitet weltweit mit Vertriebs-, Support- und Designzentren in Nordamerika, Europa und Asien.
DioDes Incorporated dient einer Vielzahl von Branchen, darunter Automobil, Kommunikation, Computer, Verbraucher und Industrie.
Das Unternehmen bietet unter anderem eine breite Palette von Produkten, darunter Dioden, Gleichrichter, Transistoren, Spannungsregulatoren, MOSFETs, LED -Treiber und Schutzgeräte.
Die Mission des Unternehmens ist es, den Kunden qualitativ hochwertige, qualitativ zuverlässige Produkte und hervorragende Kundenservice zu bieten.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit ist DioDes Incorporated verpflichtet, ein führender Anbieter von Power Management -Lösungen zu werden.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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