MBR2045CT Datenblatt(PDF) - ON Semiconductor

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MBR2045CT Produktdetails

SWITCHMODE™ Power Rectifier

Features and Benefits
• Low Forward Voltage
• Low Power Loss / High Efficiency
• High Surge Capacity
• 175°C Operating Junction Temperature
• 20 A Total (10 A Per Diode Leg)
• Pb−Free Package is Available*

Applications
• Power Supply − Output Rectification
• Power Management
• Instrumentation

Ähnliche Teilenummer - MBR2045CT

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Motorola, Inc	MBR2045CT	135Kb / 6P	SWITCHMODE?? Power Rectifiers
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General Semiconductor	MBR2045CT	81Kb / 2P	SCHOTTKY RECTIFIER
Micro Commercial Compon...	MBR2045CT	67Kb / 2P	20 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts
Fairchild Semiconductor	MBR2045CT	53Kb / 3P	Schottky Rectifiers

Ähnliche Beschreibung - MBR2045CT

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	MURD620CT	101Kb / 4P	SWITCHMODE Power Rectifier January, 2011 ??Rev. 9
	NRVBB4030T4G	144Kb / 6P	SWITCHMODE Power Rectifier January, 2012 ??Rev. 7

Über ON Semiconductor

ON Semiconductor befindet sich ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleiterprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen entwirft, entwickelt und herstellt, darunter Automobil-, Computer-, Konsumgüter-, Industrie- und Kommunikationsmärkte.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona.
Über Semiconductor bietet unter anderem ein breites Portfolio an analogen und diskreten Halbleitern, einschließlich LeistungsmOSFETs, Dioden, Gleichrichter, Spannungsregulatoren.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, zuverlässig und kostengünstig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter tragbare Elektronik, industrielle Automatisierungssysteme, erneuerbare Energiesysteme und Automobilelektronik.
Semiconductor engagiert sich für Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, die besten Halbleiterlösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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