UGE10DCT Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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UGE10DCT Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

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UGE10DCT Produktdetails

FEATURES
• Power pack
• Glass passivated pellet chip junction
• Ultrafast recovery times
• Soft recovery characteristics
• Low switching losses, high efficiency
• High forward surge capability
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912
TYPICAL APPLICATIONS
For use in low voltage, high frequency rectifier of switching
power supplies, freewheeling diodes, DC/DC converters
and polarity protection application.

Ähnliche Teilenummer - UGE10DCT

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
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	UGE18BCT	93Kb / 5P	Dual Common Cathode Ultrafast Plastic Rectifier 23-Feb-16
	UGE18CCT	93Kb / 5P	Dual Common Cathode Ultrafast Plastic Rectifier 23-Feb-16

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	U10XCT-E3	148Kb / 5P	Dual Common Cathode Ultrafast Rectifier 23-Oct-13
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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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