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RBA100N04DANS-4UB02 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp
RBA100N04DANS-4UB02 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Bauteilbeschribung N-Channel Power MOSFET 40V - 100A - 2.0mΩ

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Bauteilbeschribung N-Channel Power MOSFET 40V - 100A - 2.0mΩ

RBA100N04DANS-4UB02 Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


RBA100N04DANS-4UB02 Produktdetails

• Standard-level gate drive voltage: VGS(th) = 2.0~4.0V
• Super low on-state resistance: RDS(on) = 2.0m Max.
• Low input capacitance
• Low thermal resistance
• 100% Avalanche tested
• AEC-Q101 qualified
• Production Part Approval Process (PPAP) capable
• Pb-free lead plating: RoHS compliant
• MSL1 classified according to IPC/JEDEC J-STD-020




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Jun.27.2025
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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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