BU806 Datenblatt(PDF)

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BU806 Datenblatt (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

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BU806 Produktdetails

DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 200V(Min)
·DC Current Gain-
: hFE= 1000(Min)@ IC= 5A
APPLICATIONS
·This Darlington transistor is a high voltage ,high speed
device for use in horizontal deflection circuits in TV’s
and CRT’s

Ähnliche Beschreibung - BU806

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NEC	2SD1630	125Kb / 2P	NPN SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTOR
Microsemi Corporation	JANTX2N6284	64Kb / 2P	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
Micro Commercial Compon...	2N6045	470Kb / 2P	NPN Silicon Power Darlington Transistor
Micro Commercial Compon...	TIP110	234Kb / 2P	Silicon NPN Darlington Power Transistor
Central Semiconductor C...	BD675	337Kb / 2P	NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR
New Jersey Semi-Conduct...	TIP152	84Kb / 2P	Silicon NPN Darlington Power Transistor
	MJH11018	84Kb / 2P	Silicon NPN Darlington Power Transistor
	TIP142T	80Kb / 2P	Silicon NPN Darlington Power Transistor
Inchange Semiconductor ...	2SD1072	259Kb / 2P	Silicon NPN Darlington Power Transistor
Inchange Semiconductor ...	2SD1124	260Kb / 2P	Silicon NPN Darlington Power Transistor

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Über Inchange Semiconductor Company Limited

Die Inchange Semiconductor Company Limited ist eine chinesische Halbleiterfirma, die 1997 gegründet wurde.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten, darunter diskrete und analoge Leistungsgeräte sowie Dioden für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

Inchange ist bekannt für seine Fokussierung auf Qualität und Zuverlässigkeit, und seine Produkte werden häufig für das Energiemanagement, die Beleuchtung und andere Anwendungen verwendet.

Das Unternehmen ist in mehreren Ländern tätig und ist einer der führenden Lieferanten von Stromgeräten und Dioden in der asiatisch-pazifischen Region.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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