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MSC83303 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
MSC83303 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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MSC83303 Datasheet (PDF)

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MSC83303 Produktdetails

DESCRIPTION
The MSC83303 is a common base hermetically sealed silicon NPN microwave power transistor utilizing an overlay, emitter site ballasted geometry with a refractory/gold metallization system. This device is capable of withstanding an infinite load VSWR at any phase angle under rated conditions. The MSC83303 is designed for Class C amplifier/oscillator applications in the 1.0 - 3.0 GHz frequency range.

■ REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
■ EMITTER BALLASTED
■ VSWR CAPABILITY ∞:1 @ RATED CONDITIONS
■ HERMETIC STRIPAC® PACKAGE
■ POUT = 3.0 W MIN. WITH 7.0 dB GAIN @ 3.0 GHz




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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