BUXD87 Datenblatt(PDF)

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BUXD87 Datenblatt (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

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BUXD87 Datenblatt (HTML) - Inchange Semiconductor Company Limited

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BUXD87 Produktdetails

DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= 450V(Min)
· Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat) :1.0V(Max) @IC= 0.2A
APPLICATIONS
· high switching speeds
· high voltage withstand capability

Ähnliche Beschreibung - BUXD87

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Advanced Semiconductor	MRF342	145Kb / 1P	SILICON POWER NPN TRANSISTOR
NEC	2SC2333	167Kb / 3P	NPN Silicon Power Transistor
Continental Device Indi...	C13003	160Kb / 4P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Continental Device Indi...	CFC4662	106Kb / 3P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Bourns Electronic Solut...	BUT11	128Kb / 5P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Bourns Electronic Solut...	BUX84	125Kb / 6P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Microsemi Corporation	2N2880	45Kb / 2P	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
Microsemi Corporation	2N5002	58Kb / 2P	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
M/A-COM Technology Solu...	MRF10031	195Kb / 5P	Microwave Power Silicon NPN Transistor Microwave Power Silicon NPN Transistor
Kwang Myoung I.S. CO.,L...	TIP35CF	5Mb / 2P	Silicon NPN Power Transistor

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Über Inchange Semiconductor Company Limited

Die Inchange Semiconductor Company Limited ist eine chinesische Halbleiterfirma, die 1997 gegründet wurde.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten, darunter diskrete und analoge Leistungsgeräte sowie Dioden für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

Inchange ist bekannt für seine Fokussierung auf Qualität und Zuverlässigkeit, und seine Produkte werden häufig für das Energiemanagement, die Beleuchtung und andere Anwendungen verwendet.

Das Unternehmen ist in mehreren Ländern tätig und ist einer der führenden Lieferanten von Stromgeräten und Dioden in der asiatisch-pazifischen Region.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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