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2STR1160 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
2STR1160 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung Low voltage fast-switching NPN power transistor

2STR1160 Datasheet (PDF)

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2STR1160 Produktdetails

Description
The device in a NPN transistor manufactured using new “PB-HCD” (Power Bipolar High Current Density) technology. The resulting transistor shows exceptional high gain performances coupled with very low saturation voltage.
The complementary PNP is the 2STR2160.

Features
• Very low collector-emitter saturation voltage
• High current gain characteristic
• Fast switching speed
• Miniature SOT-23 plastic package for surface mounting circuits

Applications
• LED
• Battery charger
• Motor and relay driver
• Voltage regulation




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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