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STB18N20 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STB18N20 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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Bauteilbeschribung N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

STB18N20 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STB18N20 Produktdetails

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

■ TYPICAL RDS(on) = 0.145 Ω
■ AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY
■ 100% AVALANCHE TESTED
■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC
■ LOW GATE CHARGE
■ VERY HIGH CURRENT CAPABILITY
■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION
■ THROUGH-HOLE I2PAK (TO-262) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)
■ SURFACE-MOUNTING D2PACK (TO-263) POWER PACKAGE IN TUBE (NO SUFFIX) OR IN TAPE & REEL (SUFFIX ”T4”)

APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS
■ REGULATORS
■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS
■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION, ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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