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D16NE10L Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
D16NE10L Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N - CHANNEL 100V - 0.07 ohm - 16A DPAK STripFET POWER MOSFET

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Bauteilbeschribung N - CHANNEL 100V - 0.07 ohm - 16A DPAK STripFET POWER MOSFET

D16NE10L Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


D16NE10L Produktdetails

DESCRIPTION

This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique ”Single Feature Size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturingreproducibility.



■ TYPICAL RDS(on) = 0.07 Ω

■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

■ LOW GATE CHARGE

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ 175°C OPERATING TEMPERATURE

■ LOW THRESHOLD DRIVE

■ ADD SUFFIX ”T4” FOR ORDERING IN TAPE & REEL



APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT



 




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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