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N2NE10 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
N2NE10 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N - CHANNEL 100V - 0.33 ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET

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N2NE10 Produktdetails

DESCRIPTION
This Power Mosfet is the latest development of STMicroelectronics unique "Single Feature Size™ " stip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.33 Ω
■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
■ 100 % AVALANCHE TESTED
■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

APPLICATIONS
■ DC MOTOR CONTROL (DISK DRIVES,etc.)
■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS
■ SYNCHRONOUS RECTIFICATION




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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